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“Optogama被動調Q激光器”參數說明
| 是否有現貨： | 否 | 品牌： | Optogama |
| 加工定制： | 否 | 類別： | 光學元件 |
| 測量范圍： | 光學范圍 | 測量精度： | 光學精度 |
| 外形尺寸： | 1 | 用途： | 需要短脈沖的激光系統 |
| 標準裝箱數： | 1 | 長度： | 1 |
| 放大率： | 1 | 工作溫度： | 1 |
| 序列號： | Cr：YAG、V:YAG、co:Spin | 重量： | 0.5 |
| 型號： | Cr：YAG、V:YAG、co:Spin | 商標： | Optogama |
| 包裝： | 紙箱 | 密度： | 4，56克/厘米3 |
| 晶體結構： | 立方體 | 平行度誤差： | <10 arcsec |
| 表面質量： | 10-5 s-d | 保護槽： | <0,1 mm at 45˚ |
“Optogama被動調Q激光器”詳細介紹
被動調Q開關晶體和可飽和吸收體一樣，可以被用作被動調Q激光器中的激光諧振腔質量調制器，其工作原理不同于主動調Q方式的電控調制器。通常，這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低，它們在聚焦光束中使用時會進一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。立陶宛Optogama公司旗下的 4Lasers部門有三款成熟的被動調Q晶體：Cr:YAG crystals、V:YAG crystals、Co:Spinel crystals。
立陶宛Optogama公司旗下的 4Lasers部門具有成熟的的被動調Q晶體主劑和離子摻雜劑組合技術，用于研究和工業應用。在被動調Q激光器開關晶體領域，其有三款產品：Cr:YAG晶體、V:YAG晶體、Co:Spinel 晶體。
Cr4 +：YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.8至1,2μm激光器（Nd：YAG和其他摻雜Nd或Yb）Q開關的理想材料。 Cr4 +：YAG有一個顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。 它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm，在1060nm左右達到峰值，吸收峰截面積非常大。
V：YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對較新的晶體材料，適宜于1.06～1.44 μm激光發射,特別適應于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近，激發態的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優異的光學、力學和熱性能。可以用Czochralski法生產。V：YAG晶體用于Nd：YAG、Nd：YAP、Nd：KGW、Nd：YVO 4等多種有源介質中，可獲得結構緊湊、性能優良的被動調Q激光器。
Co:Spinel晶體中文名叫 尖晶石是一種新型發展的材料，發射波長范圍在1.2-1.6μm，已經被證明是一種非常有效的被動調Q開關。它被廣泛用于對眼睛安全的Er：glass激光器（1.54 µm），并且在波長1.44 µm和1.34 µm的激光器上得到驗證。Co：Malo(Co：尖晶石)具有高吸收截面，使得Er：玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)的Q開關，無需腔內聚焦，可忽略激發態吸收，導致Q開關的對比度高，即初始與飽和吸收信號的比率高于10。
Cr：YAG晶體主要特點：
-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值
-高穩定化學性和可靠性
-導熱性好，壽命長
-緊湊型無源Q開關
-操作容易
Cr：YAG晶體主要應用：
-用于激光測距儀，LIDAR和LIBS系統的無源調Q激光器
-需要短脈沖的激光系統。
Cr：YAG晶體技術特性：
| 晶體結構 |
立方體 |
| 密度 |
4，56克/厘米3 |
| 熱膨脹系數 |
6.14×10-6 K-1 |
| 熱導率 |
11，2 Wm-1K-1 |
| 莫氏硬度 |
8,2 |
| 折射率 |
1,82@1064NM |
Cr：YAG晶體產品規格：
| 可用初始透射率 |
5-99%@1064 nm |
| 初始傳輸誤差 |
±1%(大于80%) |
| 通光孔徑 |
>90% |
| 面尺寸公差 |
+0/-0.1毫米 |
| 平行度誤差 |
<10 arcsec |
| 垂直度誤差 |
<10 arcmin |
| 保護槽 |
<0,1 mm at 45？ |
| AR膜層 |
r<0，15%@1064 nm |
| 表面質量 |
10-5 S-D |
| 表面平整度 |
<λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 |
<λ/4@632,8 |
| 激光損傷閾值 |
>10 J/cm2@1064 nm，10 ns |
Cr：YAG晶體產品型號
| SKU |
面尺寸 |
初始傳輸 |
增透膜 |
價格 （RMB） |
| 7279 |
？3毫米 |
20% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7280 |
？3毫米 |
30% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7281 |
？3毫米 |
40% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7282 |
？3毫米 |
50% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7283 |
？3毫米 |
60% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7284 |
？3毫米 |
70% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7285 |
？3毫米 |
80% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7286 |
？3毫米 |
85% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7287 |
？3毫米 |
90% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7288 |
？3毫米 |
95% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7289 |
？3毫米 |
98% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7290 |
3x3毫米 |
20% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7291 |
3x3毫米 |
30% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7292 |
3x3毫米 |
40% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7293 |
3x3毫米 |
50% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7294 |
3x3毫米 |
60% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7295 |
3x3毫米 |
70% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7296 |
3x3毫米 |
80% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7297 |
3x3毫米 |
85% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7298 |
3x3毫米 |
90% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7299 |
3x3毫米 |
95% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7300 |
3x3毫米 |
98% |
AR/Ar@1064NM |
1900 |
| 7301 |
？6 mm |
20% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7302 |
？6 mm |
30% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7303 |
？6 mm |
40% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7304 |
？6 mm |
50% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7305 |
？6 mm |
60% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7306 |
？6 mm |
70% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7307 |
？6 mm |
80% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7308 |
？6 mm |
85% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7309 |
？6 mm |
90% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7310 |
？6 mm |
95% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
| 7311 |
？6 mm |
98% |
AR/Ar@1064NM |
2150 |
V：YAG晶體主要特點：
-高基態吸收
-不明顯激發態吸收
-Q開關的高對比度
-良好的光學、力學和熱性能
-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)
V：YAG晶體主要應用：
-用于激光測距儀、激光雷達和LIBS系統的被動調Q激光器
V：YAG晶體技術特性：
| 晶體結構 |
立方體 |
| 密度 |
4，56克/厘米3 |
| 熱膨脹系數 |
6.14×10-6 K-1 |
| 熱導率 |
11，2 Wm-1K-1 |
| Mohs硬度 |
8,2 |
| 折射率 |
1,82@1064NM |
V：YAG晶體產品規格：
| 可用初始傳輸 |
30-98%@1340 nm |
| 初始傳輸誤差 |
±1%(大于80%) |
| 通光孔徑 |
>90% |
| 面尺寸公差 |
+0/-0，1毫米 |
| 平行度誤差 |
<20 arcsec |
| 垂直度誤差 |
<10 arcmin |
| 保護槽 |
<0,1 mm at 45？ |
| Ar涂層 |
r<0，2%@1310-1360 nm |
| 表面質量 |
10-5 S-D |
| 表面平整度 |
<λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 |
<λ/4@632,8 |
| 激光損傷閾值 |
>10 J/cm2@1064 nm，10 ns |
V：YAG晶體產品型號：
| SKU |
面尺寸 |
初始傳輸 |
價格 （RMB） |
| 7312 |
3x3毫米 |
30% |
5100 |
| 7313 |
3x3毫米 |
40% |
5100 |
| 7314 |
3x3毫米 |
50% |
5100 |
| 7315 |
3x3毫米 |
60% |
5100 |
| 7316 |
3x3毫米 |
70% |
5100 |
| 7317 |
3x3毫米 |
80% |
5100 |
| 7318 |
3x3毫米 |
85% |
5100 |
| 7319 |
3x3毫米 |
90% |
5100 |
| 7320 |
3x3毫米 |
95% |
5100 |
| 7321 |
？5毫米 |
30% |
5100 |
| 7322 |
？5毫米 |
40% |
5100 |
| 7323 |
？5毫米 |
50% |
5100 |
| 7324 |
？5毫米 |
60% |
5100 |
| 7325 |
？5毫米 |
70% |
5100 |
| 7326 |
？5毫米 |
80% |
5100 |
| 7327 |
？5毫米 |
85% |
5100 |
| 7328 |
？5毫米 |
90% |
5100 |
| 7329 |
？5毫米 |
95% |
5100 |
Co:Spinel晶體的主要特點：
-1.3至1.6m范圍內的低光學損耗
-高光損傷閾值
Co:Spinel晶體的主要應用：
-無源Q開關Er：玻璃@1.54m
Co:Spinel晶體的技術特性：
| 晶體結構 |
立方體 |
| 密度 |
3，58克/厘米3 |
| 熱膨脹系數 |
6,14×10-6 K-1 |
| 熱導率 |
17 Wm-1K-1 |
| Mohs硬度 |
8 |
| 折射率 |
1,6-1,75 |
Co:Spinel晶體的產品規格：
| 有效初裂 |
50-99%@1535 nm |
| 初始傳輸誤差 |
±1%(大于80%) |
| 有效孔徑 |
>90% |
| 面尺寸公差 |
+0/-0.1毫米 |
| 平行度誤差 |
<20 arcsec |
| 垂直度誤差 |
<10 arcmin |
| 保護槽 |
<0,1 mm at 45？ |
| AR膜層 |
r<0.15%@1535 nm |
| 表面質量 |
20-10 S-D |
| 表面平整度 |
<λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 |
<λ/4@632，8 nm，通過透明光圈 |
| 激光損傷閾值 |
>8J/cm2@1535 nm，10 ns |
Co:Spinel晶體的產品型號：
| SKU |
面尺寸 |
初始傳輸 |
增透膜 |
價格 （RMB） |
| 7330 |
3x3毫米 |
70% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7331 |
3x3毫米 |
80% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7332 |
3x3毫米 |
85% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7333 |
3x3毫米 |
90% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7334 |
3x3毫米 |
92% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7335 |
3x3毫米 |
95% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7336 |
3x3毫米 |
97% |
AR/Ar@1535NM |
4150 |
| 7337 |
5x5毫米 |
70% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7338 |
5x5毫米 |
80% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7339 |
5x5毫米 |
85% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7340 |
5x5毫米 |
90% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7341 |
5x5毫米 |
92% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7342 |
5x5毫米 |
95% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7343 |
5x5毫米 |
97% |
AR/Ar@1535NM |
4600 |
| 7802 |
3x3毫米 |
98.5%@1522 nm |
HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM |
6400 |